國內領先的光電器件制造商國星光電正式發布了其全新的KS系列碳化硅（SiC）MOSFET產品。這一舉措標志著公司在深耕傳統LED封裝與光電器件領域的積極向第三代半導體功率器件這一戰略新興領域拓展，展現了其強大的技術研發實力與前瞻性的產業布局。

碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，因其具有高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速度等優異特性，被公認為是制造高壓、高頻、高溫、高功率密度功率器件的理想材料。相較于傳統的硅基（Si）器件，SiC MOSFET在新能源電動汽車、光伏逆變、工業電源、軌道交通及智能電網等領域具有顯著的應用優勢，能夠有效提升系統效率、降低能耗、減小設備體積與重量。

國星光電此次推出的KS系列SiC MOSFET產品，是其依托自身在半導體材料與器件領域長期積累的技術基礎，針對市場需求精心打造的成果。據悉，該系列產品具有多項核心優勢：

1. 卓越的電性能：具備低導通電阻（Rds(on)）、低柵極電荷（Qg）和優異的開關特性，有助于降低開關損耗和導通損耗，提升系統整體能效。
2. 高可靠性：產品設計充分考慮了高溫、高濕等嚴苛工作環境，確保了長期穩定運行的可靠性，滿足工業級和車規級的應用要求。
3. 良好的熱管理：優化的封裝設計與SiC材料本身的高熱導率相結合，使器件散熱性能優異，有助于提高功率密度和延長使用壽命。

作為一家以光電器件起家并持續引領行業發展的企業，國星光電進軍SiC功率器件領域并非偶然。公司近年來持續加大研發投入，構建了從材料、芯片到封裝測試的完整技術鏈條。KS系列SiC MOSFET的推出，不僅是其技術平臺的自然延伸，更是對“光電器件”內涵的深化與拓寬。它將光電領域的精密制造、封裝技術與功率半導體的設計能力相結合，為國星光電打開了在新能源汽車電驅系統、車載充電機（OBC）、直流快充樁、服務器電源等高增長市場的全新賽道。

當前，全球范圍內對高效節能技術的需求日益迫切，SiC產業鏈正處于快速成長期，市場空間廣闊。國星光電此時入局，有望憑借其品牌影響力、客戶基礎與制造能力，在國產SiC器件市場中占據有利位置。KS系列產品的發布，不僅豐富了國星光電自身的產品矩陣，增強了綜合競爭力，也為下游客戶提供了高性能、高可靠性的國產化功率器件解決方案，對推動我國第三代半導體產業的自主可控與升級發展具有積極意義。

隨著KS系列產品的量產與市場導入，國星光電有望在保持傳統光電器件市場領先地位的在SiC功率半導體這一新藍海中建立起新的增長極。公司表示，將持續投入資源進行產品迭代與系列化開發，以滿足不同應用場景的細分需求，攜手產業鏈伙伴共同推動綠色能源與高效電力電子技術的進步。